DDR5內(nèi)存的問世，讓更多人開始關(guān)注內(nèi)存產(chǎn)品在頻率上的更新?lián)Q代，動輒5000MHz起步的高頻設(shè)計，確實在數(shù)值上給人以震撼和驚艷，也似乎成為了很多用戶選購內(nèi)存產(chǎn)品的不二標準。

從而忽視了在內(nèi)存產(chǎn)品中，一個極為重要的參數(shù)設(shè)計，即時序。

也就是各大內(nèi)存產(chǎn)品上標注的“40-40-40-77”的一連串數(shù)值，有高有低。

不同產(chǎn)品的數(shù)值，還會出現(xiàn)顯著的差異，幾乎一個產(chǎn)品一個數(shù)值；面對這一連串規(guī)律不定的數(shù)值，很少有人會關(guān)注它們的差異和探究它們到底是啥作用，今天咱們就來盤一盤內(nèi)存時序。

時序到底是什么？

內(nèi)存時序，一言以蔽之指的是內(nèi)存在處理各種任務(wù)操作時遇到的固有延遲的一種數(shù)值描述，或者更本質(zhì)更白話一點，時序指的是內(nèi)存處理工作和操作時的具體延遲時間，從這個定義上而言，時序自然是越小越好；

同時影響內(nèi)存延遲，或者說描述延遲的時序種類有很多，我們常規(guī)產(chǎn)品上列出的4種，是對內(nèi)存影響最大，最為顯著的部分。

它們分別都有著特定的代號，按照順序分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，這四個代號全是縮寫，第一個CL，即CAS Latency，它描述的是內(nèi)存列地址訪問的延遲時間，這也是時序中最重要的參數(shù)。

第二個tRCD，即RAS to CAS Delay，是指內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間；第三個tRP，即RAS Precharge Time，表示內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間；第四個tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的時間。

時序是如何影響工作

理解了主要的時序含義之后，我們還需要明白內(nèi)存和CPU之間的聯(lián)結(jié)原理，才能真正明白主要時序?qū)τ趦?nèi)存性能的影響。

通常情況下，CPU的工作流程是下達一個尋址指令，內(nèi)存會快速搜索和尋址存在緩存內(nèi)的文件，我們將尋址的過程想象成在一個有列有行的圍棋格上。

當CPU下達搜索A文件時，內(nèi)存需要要先確定數(shù)據(jù)具體在圍棋格子中的哪一行，那么時序的第二個參數(shù)tRCD就代表這個時間，簡單來說就是是內(nèi)存收到行的指令后，需要等待多長時間才能訪問這一行。

值得注意的是，由于每一行中數(shù)據(jù)量十分龐雜，在內(nèi)存第一步工作中無法準確定位，只能是預(yù)估，因而還需要第二步才能完成指令。

當內(nèi)存確定了A文件在哪一行之后，就需要確認數(shù)據(jù)在哪一列，只有當行和列全部都確定后，才能鎖定A文件的具體地址；而確定列的等待時間，便是時序中CL，換言之就是內(nèi)存確定行數(shù)之后，還需要多久才能訪問具體的列。

至于第三個參數(shù)，指的是確認了第一行數(shù)值后，再確定另外一行所需要等待的時間（時間周期）。

第四個tRAS部分，則是指整個內(nèi)存完成命令后的總和，它的數(shù)值約等于前三個數(shù)值的總和，當然時序越高的情況下，他們的差異越巨大。

D4和D5的時序?qū)Ρ?/STRONG>

下面我們就通過DDR4和DDR5兩種不同內(nèi)存的時序，探究D4和D5內(nèi)存的差異。

“40-40-40-77”是某品牌5200MHz的D5產(chǎn)品時序設(shè)計，“16-16-16-36”則是該品牌4000MHz的D4產(chǎn)品時序設(shè)計。

從時序上來看，二者近乎存在2倍多的數(shù)值差異，雖然在絕對頻率上D5內(nèi)存有著顯著提升，可在延遲上嚴重拉跨，無疑對于用戶的實際使用產(chǎn)生一定影響。

這也就是為什么眾多D5內(nèi)存，暫時并沒有被大量玩家接受的原因。

頻率的增長并不能顯著提升用戶體驗，而過高的延遲卻如同定時炸彈，不經(jīng)意間對用戶體驗產(chǎn)生影響，想要更高頻率，同時降低時序，可能是今后內(nèi)存行業(yè)一直需要探索的重要課題。

責任編輯：振亭文章糾錯

話題標簽：內(nèi)存內(nèi)存顆粒DRAM