東京理科大學(xué)(TUS)學(xué)者日前在納米壓印技術(shù)研究上取得突破，實(shí)現(xiàn)了紫外硬化納米壓印(UV-NIL)創(chuàng)建 10 納米以下分辨率形貌的突破。

UV-NIL 技術(shù)由于不需要高溫高壓條件，是一種備受矚目的納米壓印技術(shù)方向，具有低成本制備媲美光學(xué)光刻質(zhì)量圖形的潛力，但此前受制于對(duì)光刻膠材料原子尺度特性的理解，難以實(shí)現(xiàn)小于 10 納米分辨率，而 TUS 學(xué)者 Tadashi Ando 帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)基于對(duì)分子動(dòng)力學(xué)模擬，闡明了光刻膠分子成分與壓印過程的作用機(jī)制，發(fā)現(xiàn)并驗(yàn)證了適用于 UV-NIL 工藝的光刻膠材料。

Ando 表示，該團(tuán)隊(duì)研究成果可為未來選擇與設(shè)計(jì)優(yōu)化光刻膠材料提供指導(dǎo)，最終實(shí)現(xiàn) 10 納米以下分辨率 UV-NIL 工藝的實(shí)用化。

關(guān)鍵詞： 東京理科大學(xué) 納米壓印技術(shù) 紫外硬化納米壓印 高溫高壓條件