在上月的ITF大會上，半導體行業(yè)大腦imec（比利時微電子研究中心）公布的藍圖顯示，2025年后晶體管進入埃米尺度（?，angstrom，1埃 = 0.1納米），其中2025對應A14（14?=1.4納米），2027年為A10（10?=1nm）、2029年為A7（7?＝0.7納米）。

當時imec就表示，除了新晶體管結構、2D材料，還有很關鍵的一環(huán)就是High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機一號試做機（EXE:5000）會在2023年由ASML提供給imec，2026年量產。

不過，本月與媒體交流時，ASML似乎暗示這個進度要提前。第一臺高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進行研發(fā)并從2025年開始量產。

據(jù)悉，相較于當前0.33NA的EUV光刻機，0.55NA有了革命性進步，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。

分析師Alan Priestley稱，0.55NA光刻機一臺的價格會高達3億美元（約合19億），是當前0.33NA的兩倍。

早在今年7月，Intel就表態(tài)致力于成為高NA光刻機的首個客戶，Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，并將高NA EUV光刻機視為一次重大技術突破。

- THE END -

轉載請注明出處：快科技

#Intel#阿斯麥#光刻機#極紫外光刻