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連續(xù)3年增長 全球NAND閃存行業(yè)資本支出將創(chuàng)新高

2022-03-16 09:00:24    來源:TechWeb

在連續(xù) 3 年增長之后,全球 NAND 閃存行業(yè)的資本支出,在今年將繼續(xù)增加,并會創(chuàng)下新高。

從研究機構的數(shù)據(jù)來看,全球 NAND 閃存行業(yè)今年的資本支出,將達到 299 億美元,較去年的 277 億美元增加 22 億美元,同比增長 8%。

同比繼續(xù)增長,也就意味著全球 NAND 閃存行業(yè)今年的資本支出,將超過 2018 年的 278 億美元,創(chuàng)下新高。

研究機構在報告中指出,2017 年開始,全球閃存行業(yè)開始向 3D NAND 閃存過渡,這也推動行業(yè)的資本支出大幅增加,2017 年增至 272 億美元,同比增長高達 89%,隨后一年增速放緩,但仍增長了 2%,達到 278 億美元。

雖然 2019 年全球 NAND 閃存行業(yè)的營收同比大幅下滑,但仍在 200 億美元之上,延續(xù)了 2017 年之后超過 200 億美元的趨勢。

值得注意的是,在研究機構的預期中,今年全球 NAND 閃存行業(yè) 8% 的資本支出增速,明顯低于去年的 13%,較 2020 年的 9% 也有放緩,明年的增速,可能會繼續(xù)放緩。

關鍵詞: 研究機構 資本支出 繼續(xù)增加 創(chuàng)下新高

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